AFN4822S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4822S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4822S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4822S даташит

 ..1. Size:515K  alfa-mos
 afn4822s.pdf pdf_icon

AFN4822S

AFN4822S Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4822S, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

 7.1. Size:515K  alfa-mos
 afn4822ws.pdf pdf_icon

AFN4822S

AFN4822WS Alfa-MOS 30V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5.0A,RDS(ON)=44m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.1. Size:537K  alfa-mos
 afn4804.pdf pdf_icon

AFN4822S

AFN4804 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4804, N-Channel enhancement mode 40V/16A,RDS(ON)= 48m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/10A,RDS(ON)= 70m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.2. Size:580K  alfa-mos
 afn4850ws.pdf pdf_icon

AFN4822S

AFN4850WS Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4850WS, N-Channel enhancement mode 60V/8.5A,RDS(ON)=20m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/7.2A,RDS(ON)=28m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN4424W, AFN4440, AFN4440W, AFN4486, AFN4546, AFN4634WS, AFN4804, AFN4808W, IRF740, AFN4822WS, AFN4850WS, AFN4874WS, AFN4896, AFN4900W, AFN4906, AFN4922W, AFN4924