Справочник MOSFET. IRLSZ34A

 

IRLSZ34A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLSZ34A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
   Время нарастания (tr): 21 ns
   Выходная емкость (Cd): 334 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRLSZ34A

 

 

IRLSZ34A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  samsung
irlsz34a.pdf

IRLSZ34A IRLSZ34A

IRLSZ34AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.046 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 20 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.033 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute

 9.1. Size:215K  samsung
irlsz14a.pdf

IRLSZ34A IRLSZ34A

IRLSZ14AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.155 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 8 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut

 9.2. Size:218K  samsung
irlsz24a.pdf

IRLSZ34A IRLSZ34A

IRLSZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.075 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 14 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating AreaA (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.061 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolut

 9.3. Size:221K  samsung
irlsz44a.pdf

IRLSZ34A IRLSZ34A

IRLSZ44AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Logic Level Gate DriveRDS(on) = 0.025 Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ID = 30 A Lower Input Capacitance Improved Gate ChargeTO-220F Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.02 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute M

Другие MOSFET... IRLS530A , IRLS540A , IRLS610A , IRLS620A , IRLS630A , IRLS640A , IRLSZ14A , IRLSZ24A , AON6380 , IRLSZ44A , IRLU010 , IRLU014 , IRLU014A , IRLU020 , IRLU024 , IRLU024A , IRLU024N .

 

 
Back to Top