AFN4998W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN4998W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN4998W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN4998W даташит

 ..1. Size:583K  alfa-mos
 afn4998w.pdf pdf_icon

AFN4998W

AFN4998W Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4998W, N-Channel enhancement mode 100V/5.6A,RDS(ON)=120m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/4.2A,RDS(ON)=130m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

 7.1. Size:582K  alfa-mos
 afn4998.pdf pdf_icon

AFN4998W

AFN4998 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4998, N-Channel enhancement mode 100V/5.6A,RDS(ON)=130m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/4.2A,RDS(ON)=145m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 8.1. Size:574K  alfa-mos
 afn4996.pdf pdf_icon

AFN4998W

AFN4996 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4996, N-Channel enhancement mode 90V/7.6A,RDS(ON)=68m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/6.8A,RDS(ON)=75m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 8.2. Size:575K  alfa-mos
 afn4997.pdf pdf_icon

AFN4998W

AFN4997 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN4997, N-Channel enhancement mode 90V/6.8A,RDS(ON)=68m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/5.6A,RDS(ON)=75m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN4936S, AFN4936WS, AFN4946, AFN4946BW, AFN4946W, AFN4996, AFN4997, AFN4998, AON6414A, AFN5004S, AFN501DEA, AFN5800, AFN5800W, AFN5808W, AFN5904W, AFN5908W, AFN6011S