Справочник MOSFET. AFN5908W

 

AFN5908W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFN5908W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для AFN5908W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN5908W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  alfa-mos
 afn5908w.pdf pdf_icon

AFN5908W

AFN5908W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5908W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=35m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=45m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 8.1. Size:727K  alfa-mos
 afn5904w.pdf pdf_icon

AFN5908W

AFN5904W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5904W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

Другие MOSFET... AFN4998 , AFN4998W , AFN5004S , AFN501DEA , AFN5800 , AFN5800W , AFN5808W , AFN5904W , 7N65 , AFN6011S , AFN6018S , AFN6202S , AFN6424S , AFN6520S , AFN6530S , AFN6561 , AFN6562 .

History: SI7491DP | CS7456 | STF13N60M2 | HGN028NE6AL | SIHFD014 | IXTQ44P15T

 

 
Back to Top

 


 
.