AFN5908W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN5908W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN5908W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN5908W даташит

 ..1. Size:710K  alfa-mos
 afn5908w.pdf pdf_icon

AFN5908W

AFN5908W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5908W, N-Channel enhancement mode 20V/6.2A,RDS(ON)=30m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.6A,RDS(ON)=35m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.8A,RDS(ON)=45m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

 8.1. Size:727K  alfa-mos
 afn5904w.pdf pdf_icon

AFN5908W

AFN5904W Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN5904W, N-Channel enhancement mode 20V/4.5A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/3.6A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.4A,RDS(ON)=78m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Su

Другие IGBT... AFN4998, AFN4998W, AFN5004S, AFN501DEA, AFN5800, AFN5800W, AFN5808W, AFN5904W, IRF630, AFN6011S, AFN6018S, AFN6202S, AFN6424S, AFN6520S, AFN6530S, AFN6561, AFN6562