Справочник MOSFET. AFN8816

 

AFN8816 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFN8816
   Маркировка: 8816
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8P

 Аналог (замена) для AFN8816

 

 

AFN8816 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  alfa-mos
 afn8816.pdf

AFN8816 AFN8816

AFN8816 Alfa-MOS 30V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8816, N-Channel enhancement mode 30V/8A,RDS(ON)=21m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/5A,RDS(ON)=24m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/4A,RDS(ON)=27m@VGS=2.5V These devices are particularly suited for low

 9.1. Size:691K  alfa-mos
 afn8822s.pdf

AFN8816 AFN8816

AFN8822S Alfa-MOS 20V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8822S, N-Channel enhancement mode 20V/6.5A,RDS(ON)=32m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.8A,RDS(ON)=35m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particul

 9.2. Size:691K  alfa-mos
 afn8822.pdf

AFN8816 AFN8816

AFN8822 Alfa-MOS 20V Common-Drain N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8822, N-Channel enhancement mode 20V/7.2A,RDS(ON)=28m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.8A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.0A,RDS(ON)=45m@VGS=1.8V These devices are particularly suited fo

 9.3. Size:685K  alfa-mos
 afn8832.pdf

AFN8816 AFN8816

AFN8832 Alfa-MOS 20V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8832, N-Channel enhancement mode 20V/5.4A,RDS(ON)=28m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.0A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.0A,RDS(ON)=45m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Supe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top