AFN8936 - аналоги и даташиты транзистора

 

AFN8936 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AFN8936
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для AFN8936

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN8936 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:713K  alfa-mos
 afn8936.pdf pdf_icon

AFN8936

AFN8936 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8936, N-Channel enhancement mode 60V/4.6A,RDS(ON)=48m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/3.6A,RDS(ON)=54m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/2.0A,RDS(ON)=95m@VGS=3.3V These devices are particularly suited for low Super

 9.1. Size:694K  alfa-mos
 afn8988.pdf pdf_icon

AFN8936

AFN8988 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8988, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=120m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=130m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 9.2. Size:688K  alfa-mos
 afn8918.pdf pdf_icon

AFN8936

AFN8918 Alfa-MOS 40V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8918, N-Channel enhancement mode 40V/4.6A,RDS(ON)=30m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 40V/3.6A,RDS(ON)=54m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for

 9.3. Size:397K  alfa-mos
 afn8987.pdf pdf_icon

AFN8936

AFN8987 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN8987, N-Channel enhancement mode 90V/2.3A,RDS(ON)=310m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/1.8A,RDS(ON)=320m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN8471 , AFN8495 , AFN8816 , AFN8822 , AFN8822S , AFN8832 , AFN8904 , AFN8918 , IRFP250 , AFN8968 , AFN8987 , AFN8987W , AFN8988 , AFN8988W , AFN9530 , AFN9910 , AFN9971 .

History: AFP9577 | AP30P10GI

 

 
Back to Top

 


 
.