AFN9972S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFN9972S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFN9972S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN9972S даташит

 ..1. Size:848K  alfa-mos
 afn9972s.pdf pdf_icon

AFN9972S

AFN9972S Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9972S, N-Channel enhancement mode 60V/35A,RDS(ON)= 15m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/25A,RDS(ON)= 18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

 8.1. Size:876K  alfa-mos
 afn9971b.pdf pdf_icon

AFN9972S

AFN9971B Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9971B, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)= 56m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)= 62m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

 8.2. Size:773K  alfa-mos
 afn9977.pdf pdf_icon

AFN9972S

AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9977, N-Channel enhancement mode 60V/8A,RDS(ON)= 118m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6A,RDS(ON)= 130m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

 8.3. Size:857K  alfa-mos
 afn9971.pdf pdf_icon

AFN9972S

AFN9971 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9971, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)= 42m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)= 50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFN8987, AFN8987W, AFN8988, AFN8988W, AFN9530, AFN9910, AFN9971, AFN9971B, IRF520, AFN9977, AFN9987, AFN9995S, AFN9997, AFP1013, AFP1023, AFP1033, AFP1073