AFN9972S - аналоги и даташиты транзистора

 

AFN9972S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AFN9972S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AFN9972S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN9972S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:848K  alfa-mos
 afn9972s.pdf pdf_icon

AFN9972S

AFN9972S Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9972S, N-Channel enhancement mode 60V/35A,RDS(ON)= 15m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/25A,RDS(ON)= 18m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

 8.1. Size:876K  alfa-mos
 afn9971b.pdf pdf_icon

AFN9972S

AFN9971B Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9971B, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)= 56m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)= 62m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

 8.2. Size:773K  alfa-mos
 afn9977.pdf pdf_icon

AFN9972S

AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9977, N-Channel enhancement mode 60V/8A,RDS(ON)= 118m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6A,RDS(ON)= 130m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

 8.3. Size:857K  alfa-mos
 afn9971.pdf pdf_icon

AFN9972S

AFN9971 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9971, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)= 42m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)= 50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN8987 , AFN8987W , AFN8988 , AFN8988W , AFN9530 , AFN9910 , AFN9971 , AFN9971B , STF13NM60N , AFN9977 , AFN9987 , AFN9995S , AFN9997 , AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 .

 

 
Back to Top

 


 
.