AFN9987 - аналоги и даташиты транзистора

 

AFN9987 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AFN9987
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AFN9987

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFN9987 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  alfa-mos
 afn9987.pdf pdf_icon

AFN9987

AFN9987 Alfa-MOS 90V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9987, N-Channel enhancement mode 90V/15A,RDS(ON)= 75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/12A,RDS(ON)= 85m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

 9.1. Size:876K  alfa-mos
 afn9971b.pdf pdf_icon

AFN9987

AFN9971B Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9971B, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)= 56m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)= 62m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

 9.2. Size:839K  alfa-mos
 afn9910.pdf pdf_icon

AFN9987

AFN9910 Alfa-MOS 100V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9910, N-Channel enhancement mode 100V/4A,RDS(ON)= 320m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/4A,RDS(ON)= 340m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for

 9.3. Size:773K  alfa-mos
 afn9977.pdf pdf_icon

AFN9987

AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFN9977, N-Channel enhancement mode 60V/8A,RDS(ON)= 118m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6A,RDS(ON)= 130m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFN8988 , AFN8988W , AFN9530 , AFN9910 , AFN9971 , AFN9971B , AFN9972S , AFN9977 , IRF2807 , AFN9995S , AFN9997 , AFP1013 , AFP1023 , AFP1033 , AFP1073 , AFP1303 , AFP1413 .

History: HRLF33N03K

 

 
Back to Top

 


 
.