Справочник MOSFET. AFP2301A

 

AFP2301A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP2301A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AFP2301A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP2301A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:651K  alfa-mos
 afp2301a.pdf pdf_icon

AFP2301A

AFP2301A Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2301A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.6A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.2A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 0.1. Size:651K  alfa-mos
 afp2301as.pdf pdf_icon

AFP2301A

AFP2301AS Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2301AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.4A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

 7.1. Size:519K  alfa-mos
 afp2301s.pdf pdf_icon

AFP2301A

AFP2301S Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2301S, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 7.2. Size:519K  alfa-mos
 afp2301.pdf pdf_icon

AFP2301A

AFP2301 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2301, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=155m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP1033 , AFP1073 , AFP1303 , AFP1413 , AFP1433 , AFP1810 , AFP1913 , AFP2301 , IRF1405 , AFP2301AS , AFP2301S , AFP2303 , AFP2303A , AFP2307A , AFP2309 , AFP2309A , AFP2311 .

History: LNTR4003NLT1G | SSM6P15FU | SWN7N65K2 | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | HGP059N08A | STW75N60M6

 

 
Back to Top

 


 
.