Справочник MOSFET. AFP2301A

 

AFP2301A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFP2301A
   Маркировка: 1A*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.8 nC
   Время нарастания (tr): 36 ns
   Выходная емкость (Cd): 223 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для AFP2301A

 

 

AFP2301A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:651K  alfa-mos
 afp2301a.pdf

AFP2301A AFP2301A

AFP2301A Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2301A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.6A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.2A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 0.1. Size:651K  alfa-mos
 afp2301as.pdf

AFP2301A AFP2301A

AFP2301AS Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2301AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.4A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularl

 7.1. Size:519K  alfa-mos
 afp2301s.pdf

AFP2301A AFP2301A

AFP2301S Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2301S, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 7.2. Size:519K  alfa-mos
 afp2301.pdf

AFP2301A AFP2301A

AFP2301 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2301, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.4A,RDS(ON)=155m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top