AFP2311A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP2311A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP2311A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP2311A даташит

 ..1. Size:621K  alfa-mos
 afp2311a.pdf pdf_icon

AFP2311A

AFP2311A Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2311A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=60m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.2A,RDS(ON)=75m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.8A,RDS(ON)=100m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for lo

 7.1. Size:490K  alfa-mos
 afp2311.pdf pdf_icon

AFP2311A

AFP2311 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2311, P-Channel enhancement mode -20V/-4.0A,RDS(ON)=56m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m @VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=100m @VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:718K  alfa-mos
 afp2319as.pdf pdf_icon

AFP2311A

AFP2319AS Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2319AS, P-Channel enhancement mode -40V/-3.0A,RDS(ON)=90m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-2.4A,RDS(ON)=120m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 8.2. Size:557K  alfa-mos
 afp2317.pdf pdf_icon

AFP2311A

AFP2317 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP2317, P-Channel enhancement mode -40V/-3.6A,RDS(ON)=52m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.2A,RDS(ON)=67m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP2301AS, AFP2301S, AFP2303, AFP2303A, AFP2307A, AFP2309, AFP2309A, AFP2311, AOD4184A, AFP2317, AFP2319A, AFP2319AS, AFP2323, AFP2323A, AFP2333A, AFP2337A, AFP2341