Справочник MOSFET. AFP3411

 

AFP3411 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP3411
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AFP3411

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP3411 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  alfa-mos
 afp3411.pdf pdf_icon

AFP3411

AFP3411 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3411, P-Channel enhancement mode -30V/-6.0A,RDS(ON)=36m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.5A,RDS(ON)=46m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 8.1. Size:520K  alfa-mos
 afp3413.pdf pdf_icon

AFP3411

AFP3413 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.6A,RDS(ON)=125m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=205m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for

 8.2. Size:651K  alfa-mos
 afp3413a.pdf pdf_icon

AFP3411

AFP3413A Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3413A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.6A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-2.2A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.2A,RDS(ON)=230m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited f

 8.3. Size:557K  alfa-mos
 afp3415.pdf pdf_icon

AFP3411

AFP3415 Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP3415, P-Channel enhancement mode -20V/-4.9A,RDS(ON)=45m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/-3.4A,RDS(ON)=58m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.2A,RDS(ON)=85m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP3050S , AFP3401AS , AFP3401S , AFP3403 , AFP3403A , AFP3405 , AFP3407AS , AFP3407S , AON6414A , AFP3413 , AFP3413A , AFP3415 , AFP3425 , AFP3459 , AFP3481S , AFP3485 , AFP3497 .

 

 
Back to Top

 


 
.