IRLU120A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRLU120A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRLU120A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRLU120A даташит
irlr120a irlu120a.pdf
IRLR/U120A FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.22 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8.4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D-PAK I-PAK Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.176 (Typ.) 2 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings
irlu120n.pdf
PD - 91541B IRLR/U120N HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRLR120N) D Straight Lead (IRLU120N) VDSS = 100V Advanced Process Technology Fast Switching RDS(on) = 0.185 Fully Avalanche Rated G Description ID = 10A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. Th
irlr120pbf irlu120pbf.pdf
PD- 95382A IRLR120PbF IRLU120PbF Lead-Free 12/07/04 Document Number 91324 www.vishay.com 1 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 2 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 3 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 4 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 5 IRLR/U120PbF Document Number 91324 www.vishay.com 6 IRLR/U12
irlr120npbf irlu120npbf.pdf
IRLR120NPbF IRLU120NPbF HEXFET Power MOSFET l Surface Mount (IRLR120N) l Straight Lead (IRLU120N) D l Advanced Process Technology VDSS = 100V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.185 l Lead-Free G Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize ID = 10A S advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance pe
Другие MOSFET... IRLU010 , IRLU014 , IRLU014A , IRLU020 , IRLU024 , IRLU024A , IRLU024N , IRLU110A , RU7088R , IRLU120N , IRLU130A , IRLU210A , IRLU220A , IRLU230A , IRLU2703 , IRLU2705 , IRLU2905 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet





