Справочник MOSFET. AFP4435

 

AFP4435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP4435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для AFP4435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  alfa-mos
 afp4435.pdf pdf_icon

AFP4435

AFP4435 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ - 7A,RDS(ON)=45m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 0.1. Size:589K  alfa-mos
 afp4435s.pdf pdf_icon

AFP4435

AFP4435S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=26m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited

 0.2. Size:589K  alfa-mos
 afp4435ws.pdf pdf_icon

AFP4435

AFP4435WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-7A,RDS(ON)=26m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

 0.3. Size:518K  alfa-mos
 afp4435w.pdf pdf_icon

AFP4435

AFP4435W Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4435W, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=30m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ - 7A,RDS(ON)=45m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP3481S , AFP3485 , AFP3497 , AFP3679S , AFP3804 , AFP3981 , AFP3993 , AFP4403 , 12N60 , AFP4435S , AFP4435W , AFP4435WS , AFP4447 , AFP4535 , AFP4535W , AFP4599W , AFP4637 .

History: SSM4500GM | HSS3400A

 

 
Back to Top

 


 
.