Справочник MOSFET. AFP4637

 

AFP4637 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFP4637
   Маркировка: 4637
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P

 Аналог (замена) для AFP4637

 

 

AFP4637 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:804K  alfa-mos
 afp4637.pdf

AFP4637 AFP4637

AFP4637 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 0.1. Size:804K  alfa-mos
 afp4637w.pdf

AFP4637 AFP4637

AFP4637W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top