AFP4637 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP4637  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP4637

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP4637 даташит

 ..1. Size:804K  alfa-mos
 afp4637.pdf pdf_icon

AFP4637

AFP4637 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 0.1. Size:804K  alfa-mos
 afp4637w.pdf pdf_icon

AFP4637

AFP4637W Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m @VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

Другие IGBT... AFP4435, AFP4435S, AFP4435W, AFP4435WS, AFP4447, AFP4535, AFP4535W, AFP4599W, 4435, AFP4637W, AFP4925, AFP4925S, AFP4925W, AFP4925WS, AFP4943WS, AFP4948, AFP4953S