AFP4925S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP4925S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP4925S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP4925S даташит

 ..1. Size:589K  alfa-mos
 afp4925s.pdf pdf_icon

AFP4925S

AFP4925S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925S, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.5A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -6.0A,RDS(ON)=26m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 7.1. Size:499K  alfa-mos
 afp4925.pdf pdf_icon

AFP4925S

AFP4925 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.2A,RDS(ON)=28m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -5.8A,RDS(ON)=37m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 7.2. Size:564K  alfa-mos
 afp4925w.pdf pdf_icon

AFP4925S

AFP4925W Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925W, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.2A,RDS(ON)=30m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -5.8A,RDS(ON)=36m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 7.3. Size:589K  alfa-mos
 afp4925ws.pdf pdf_icon

AFP4925S

AFP4925WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925WS, P-Channel enhancement mode -30V/ -8.0A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -6.0A,RDS(ON)=26m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AFP4435WS, AFP4447, AFP4535, AFP4535W, AFP4599W, AFP4637, AFP4637W, AFP4925, K4145, AFP4925W, AFP4925WS, AFP4943WS, AFP4948, AFP4953S, AFP4953WS, AFP6405S, AFP6405WS