Справочник MOSFET. AFP4925W

 

AFP4925W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP4925W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP4925W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  alfa-mos
 afp4925w.pdf pdf_icon

AFP4925W

AFP4925W Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925W, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.2A,RDS(ON)=30m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -5.8A,RDS(ON)=36m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 0.1. Size:589K  alfa-mos
 afp4925ws.pdf pdf_icon

AFP4925W

AFP4925WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925WS, P-Channel enhancement mode -30V/ -8.0A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -6.0A,RDS(ON)=26m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 7.1. Size:589K  alfa-mos
 afp4925s.pdf pdf_icon

AFP4925W

AFP4925S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925S, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.5A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -6.0A,RDS(ON)=26m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s

 7.2. Size:499K  alfa-mos
 afp4925.pdf pdf_icon

AFP4925W

AFP4925 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4925, P-Channel enhancement mode -30V/ -7.2A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/ -5.8A,RDS(ON)=37m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AFP4447 , AFP4535 , AFP4535W , AFP4599W , AFP4637 , AFP4637W , AFP4925 , AFP4925S , AON7506 , AFP4925WS , AFP4943WS , AFP4948 , AFP4953S , AFP4953WS , AFP6405S , AFP6405WS , AFP6459 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.