Справочник MOSFET. AFP4953S

 

AFP4953S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP4953S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP4953S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  alfa-mos
 afp4953s.pdf pdf_icon

AFP4953S

AFP4953S Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4953S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.4A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suite

 7.1. Size:593K  alfa-mos
 afp4953ws.pdf pdf_icon

AFP4953S

AFP4953WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFS4953WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.4A,RDS(ON)=60m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-4.2A,RDS(ON)=80m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

 9.1. Size:505K  alfa-mos
 afp4943ws.pdf pdf_icon

AFP4953S

AFP4943WS Alfa-MOS 20V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4943WS, P-Channel enhancement mode -20V/ -9.0A,RDS(ON)=25m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -20V/ -7.0A,RDS(ON)=32m@VGS=-2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/ -3.0A,RDS(ON)=38m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited

 9.2. Size:494K  alfa-mos
 afp4948.pdf pdf_icon

AFP4953S

AFP4948 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP4948, P-Channel enhancement mode -60V/-4.0A,RDS(ON)= 100m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-3.0A,RDS(ON)= 120m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 5N65KL-TN3-R | BRCS030N04DP | IRFH7004 | 2N6451 | IRFR3910TR | LNG2N65 | 2N60L-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.