Справочник MOSFET. AFP6801

 

AFP6801 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFP6801
   Маркировка: 81*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 40 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для AFP6801

 

 

AFP6801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  alfa-mos
 afp6801.pdf

AFP6801 AFP6801

AFP6801 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited fo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AM3447P | HM6409

 

 
Back to Top