AFP6801 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AFP6801
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для AFP6801
AFP6801 Datasheet (PDF)
afp6801.pdf
AFP6801 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited fo
Другие MOSFET... AFP4925WS , AFP4943WS , AFP4948 , AFP4953S , AFP4953WS , AFP6405S , AFP6405WS , AFP6459 , NCEP15T14 , AFP6993 , AFP7617WS , AFP8206 , AFP8451 , AFP8452 , AFP8463 , AFP8473 , AFP8483 .
History: AP3990W | AFP4953S | MMN4446 | IPU075N03LG | AP9412AGP | 2SK522 | AFP6459
History: AP3990W | AFP4953S | MMN4446 | IPU075N03LG | AP9412AGP | 2SK522 | AFP6459
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor


