AFP6801 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AFP6801  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AFP6801

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP6801 даташит

 ..1. Size:581K  alfa-mos
 afp6801.pdf pdf_icon

AFP6801

AFP6801 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m @VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m @VGS=-2.5V These devices are particularly suited fo

Другие IGBT... AFP4925WS, AFP4943WS, AFP4948, AFP4953S, AFP4953WS, AFP6405S, AFP6405WS, AFP6459, NCEP15T14, AFP6993, AFP7617WS, AFP8206, AFP8451, AFP8452, AFP8463, AFP8473, AFP8483