Справочник MOSFET. AFP6801

 

AFP6801 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AFP6801
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AFP6801

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP6801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  alfa-mos
 afp6801.pdf pdf_icon

AFP6801

AFP6801 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited fo

Другие MOSFET... AFP4925WS , AFP4943WS , AFP4948 , AFP4953S , AFP4953WS , AFP6405S , AFP6405WS , AFP6459 , IRFP450 , AFP6993 , AFP7617WS , AFP8206 , AFP8451 , AFP8452 , AFP8463 , AFP8473 , AFP8483 .

History: SL2302S | SSM4500GM | CS7N65K | SM4370NSKP | MPSA70M200CFD | DMN3050S-7

 

 
Back to Top

 


 
.