AFP6801 - аналоги и даташиты транзистора

 

AFP6801 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AFP6801
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для AFP6801

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AFP6801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  alfa-mos
 afp6801.pdf pdf_icon

AFP6801

AFP6801 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited fo

Другие MOSFET... AFP4925WS , AFP4943WS , AFP4948 , AFP4953S , AFP4953WS , AFP6405S , AFP6405WS , AFP6459 , AON6380 , AFP6993 , AFP7617WS , AFP8206 , AFP8451 , AFP8452 , AFP8463 , AFP8473 , AFP8483 .

History: TSM85N10CZ | AP30N30WI | IXZR18N50A | SFG180N10KF | FQD30N06 | IRF7105PBF-1 | STD6N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.