AFP7617WS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AFP7617WS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3-8L
Аналог (замена) для AFP7617WS
AFP7617WS Datasheet (PDF)
afp7617ws.pdf
AFP7617WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP7617WS, P-Channel enhancement mode -30V/-15A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-10A,RDS(ON)=16m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui
Другие MOSFET... AFP4948 , AFP4953S , AFP4953WS , AFP6405S , AFP6405WS , AFP6459 , AFP6801 , AFP6993 , STP80NF70 , AFP8206 , AFP8451 , AFP8452 , AFP8463 , AFP8473 , AFP8483 , AFP8803 , AFP8823 .
History: GSM7619WS | AFP2301A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213


