Справочник MOSFET. AFP7617WS

 

AFP7617WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AFP7617WS
   Маркировка: 7617WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для AFP7617WS

 

 

AFP7617WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  alfa-mos
 afp7617ws.pdf

AFP7617WS AFP7617WS

AFP7617WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP7617WS, P-Channel enhancement mode -30V/-15A,RDS(ON)=10m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-10A,RDS(ON)=16m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly sui

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top