AFP8995 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AFP8995
Маркировка: 95*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.5 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
Тип корпуса: SOT-89
AFP8995 Datasheet (PDF)
afp8995.pdf
AFP8995 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8995, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)= 125m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)= 165m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afp8943.pdf
AFP8943 Alfa-MOS 40V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8943, P-Channel enhancement mode -40V/-4.6A,RDS(ON)= 43m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.6A,RDS(ON)= 58m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
afp8989.pdf
AFP8989 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8989, P-Channel enhancement mode -60V/-3.6A,RDS(ON)= 115m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -60V/-2.6A,RDS(ON)= 125m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly
afp8931.pdf
AFP8931 Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP8931, P-Channel enhancement mode -30V/-4.6A,RDS(ON)= 36m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-3.6A,RDS(ON)= 46m@VGS= -4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly s
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
