IRFB18N50KPBF - описание и поиск аналогов

 

IRFB18N50KPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFB18N50KPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для IRFB18N50KPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB18N50KPBF даташит

 ..1. Size:177K  international rectifier
 irfb18n50kpbf.pdf pdf_icon

IRFB18N50KPBF

SMPS MOSFET PD - 95472A IRFB18N50KPbF HEXFET Power MOSFET Applications l Switch Mode Power Supply (SMPS) VDSS RDS(on) typ. ID l Uninterruptible Power Supply 500V 0.26 17A l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits l Lead-Free Benefits l Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement l Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness

 4.1. Size:83K  international rectifier
 irfb18n50k.pdf pdf_icon

IRFB18N50KPBF

PD - 93926B IRFB18N50K SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) typ. ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply 500V 0.26 17A High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized

 4.2. Size:168K  vishay
 irfb18n50k.pdf pdf_icon

IRFB18N50KPBF

IRFB18N50K, SiHFB18N50K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.26 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 34 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 54 and Current Con

 4.3. Size:223K  vishay
 irfb18n50k sihfb18n50k.pdf pdf_icon

IRFB18N50KPBF

IRFB18N50K, SiHFB18N50K Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 500 Requirement Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.26 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS* Qg (Max.) (nC) 120 COMPLIANT Ruggedness Qgs (nC) 34 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage Qgd (nC) 54 and Current Con

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFB16N60LPBF , IRFB17N20D , IRFB17N20DPBF , IRFB17N50L , IRFB17N50LPBF , IRFB17N60K , IRFB17N60KPBF , IRFB18N50K , AO3400 , IRFB20N50K , IRFB20N50KPBF , IRFB23N15DPBF , IRFB23N20DPBF , IRFB260NPBF , IRFB3004GPBF , IRFB3004PBF , IRFB3006GPBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.