Справочник MOSFET. IRFB18N50KPBF

 

IRFB18N50KPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFB18N50KPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для IRFB18N50KPBF

 

 

IRFB18N50KPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  international rectifier
 irfb18n50kpbf.pdf

IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF

SMPS MOSFETPD - 95472AIRFB18N50KPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Switch Mode Power Supply (SMPS)VDSS RDS(on) typ. IDl Uninterruptible Power Supply500V 0.26 17Al High Speed Power Switchingl Hard Switched and High FrequencyCircuitsl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness

 4.1. Size:83K  international rectifier
 irfb18n50k.pdf

IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF

PD - 93926BIRFB18N50KSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) typ. ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply500V 0.26 17A High Speed Power Switching Hard Switched and High FrequencyCircuitsBenefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized

 4.2. Size:168K  vishay
 irfb18n50k.pdf

IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF

IRFB18N50K, SiHFB18N50KVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.26 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 120COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 34 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 54and CurrentCon

 4.3. Size:223K  vishay
 irfb18n50k sihfb18n50k.pdf

IRFB18N50KPBF IRFB18N50KPBF

IRFB18N50K, SiHFB18N50KVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 500RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.26 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 120COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 34 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 54and CurrentCon

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top