IRFB3004PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFB3004PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2020 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00175 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IRFB3004PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFB3004PBF даташит
irfb3004pbf irfs3004pbf irfsl3004pbf.pdf
PD - 97377 IRFB3004PbF IRFS3004PbF IRFSL3004PbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 40V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 1.4m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.75m G ID (Silicon Limited) 340A c Benefits ID (Package Limited) 195A S l Improved Gate,
irfb3004gpbf.pdf
PD - 96237 IRFB3004GPbF HEXFET Power MOSFET Applications D l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS VDSS 40V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 1.4m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 1.75m G ID (Silicon Limited) 340A Benefits ID (Package Limited) 195A S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Rugged
irfb3004.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3004,IIRFB3004 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.75m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply Hard Switched a
irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 60V l High Efficiency Synchronous Rectification RDS(on) typ. 2.1m in SMPS l Uninterruptible Power Supply max. 2.5m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 270A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic D dV/dt Ruggedness l Full
Другие MOSFET... IRFB18N50K , IRFB18N50KPBF , IRFB20N50K , IRFB20N50KPBF , IRFB23N15DPBF , IRFB23N20DPBF , IRFB260NPBF , IRFB3004GPBF , P55NF06 , IRFB3006GPBF , IRFB3006PBF , IRFB3077GPBF , IRFB3077PBF , IRFB31N20DPBF , IRFB3206GPBF , IRFB3206PBF , IRFB3207PBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent




