IRFB3077PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFB3077PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFB3077PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB3077PBF даташит

 ..1. Size:295K  international rectifier
 irfb3077pbf.pdf pdf_icon

IRFB3077PBF

PD - 97047B IRFB3077PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 2.8m l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 3.3m Benefits G l Worldwide Best RDS(on) in TO-220 ID (Silicon Limited) 210A c l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/

 6.1. Size:291K  international rectifier
 irfb3077gpbf.pdf pdf_icon

IRFB3077PBF

PD - 96200 IRFB3077GPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 2.8m l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 3.3m Benefits G l Worldwide Best RDS(on) in TO-220 ID (Silicon Limited) 210A l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt ID (P

 6.2. Size:1055K  cn minos
 irfb3077.pdf pdf_icon

IRFB3077PBF

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The IRFB3077 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 200A R

 6.3. Size:246K  inchange semiconductor
 irfb3077.pdf pdf_icon

IRFB3077PBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3077 IIRFB3077 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.3m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB23N15DPBF, IRFB23N20DPBF, IRFB260NPBF, IRFB3004GPBF, IRFB3004PBF, IRFB3006GPBF, IRFB3006PBF, IRFB3077GPBF, IRF630, IRFB31N20DPBF, IRFB3206GPBF, IRFB3206PBF, IRFB3207PBF, IRFB3207ZGPBF, IRFB3207ZPBF, IRFB3306GPBF, IRFB3306PBF