Справочник MOSFET. IRFB33N15DPBF

 

IRFB33N15DPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFB33N15DPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IRFB33N15DPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB33N15DPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  international rectifier
irfb33n15dpbf irfs33n15dpbf irfsl33n15dpbf.pdfpdf_icon

IRFB33N15DPBF

PD- 95537IRFB33N15DPbF IRFS33N15DPbFSMPS MOSFET IRFSL33N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.056 33Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanc

 ..2. Size:279K  international rectifier
irfb33n15dpbf irfs33n15dpbf.pdfpdf_icon

IRFB33N15DPBF

PD- 95537IRFB33N15DPbF IRFS33N15DPbFSMPS MOSFET IRFSL33N15DPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.056 33Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanc

 4.1. Size:142K  international rectifier
irfb33n15d irfs33n15d irfsl33n15d.pdfpdf_icon

IRFB33N15DPBF

PD- 93903IRFB33N15D IRFS33N15DSMPS MOSFET IRFSL33N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.056 33ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltageand CurrentT

 4.2. Size:245K  inchange semiconductor
irfb33n15d.pdfpdf_icon

IRFB33N15DPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB33N15D,IIRFB33N15DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 56mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

Другие MOSFET... IRFB3206PBF , IRFB3207PBF , IRFB3207ZGPBF , IRFB3207ZPBF , IRFB3306GPBF , IRFB3306PBF , IRFB3307PBF , IRFB3307ZPBF , 8205A , IRFB3407ZPBF , IRFB3507PBF , IRFB3607GPBF , IRFB3607PBF , IRFB3806PBF , IRFB38N20DPBF , IRFB4019PBF , IRFB4020PBF .

History: KNP6165A | NTD12N10-1G | SSRF4N60

 

 
Back to Top

 


 
.