IRFB3607GPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFB3607GPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFB3607GPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB3607GPBF даташит

 ..1. Size:288K  international rectifier
 irfb3607gpbf.pdf pdf_icon

IRFB3607GPBF

PD - 96329 IRFB3607GPbF Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply D l High Speed Power Switching VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 7.34m G max. 9.0m Benefits ID 80A S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D l Fully Characterized Capacitance and Aval

 6.1. Size:321K  international rectifier
 irfb3607pbf irfs3607pbf irfsl3607pbf.pdf pdf_icon

IRFB3607GPBF

PD - 97308C IRFB3607PbF IRFS3607PbF Applications IRFSL3607PbF l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS HEXFET Power MOSFET l Uninterruptible Power Supply D l High Speed Power Switching VDSS 75V l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 7.34m G max. 9.0m Benefits ID 80A S l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characteriz

 6.2. Size:880K  cn minos
 irfb3607.pdf pdf_icon

IRFB3607GPBF

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The IRFB3607 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90A DS D R

 6.3. Size:261K  inchange semiconductor
 irfb3607.pdf pdf_icon

IRFB3607GPBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB3607 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 9.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB3207ZPBF, IRFB3306GPBF, IRFB3306PBF, IRFB3307PBF, IRFB3307ZPBF, IRFB33N15DPBF, IRFB3407ZPBF, IRFB3507PBF, IRLB4132, IRFB3607PBF, IRFB3806PBF, IRFB38N20DPBF, IRFB4019PBF, IRFB4020PBF, IRFB4110GPBF, IRFB4110PBF, IRFB4115GPBF