Справочник MOSFET. IRFB4020PBF

 

IRFB4020PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFB4020PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB4020PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:641K  international rectifier
 irfb4020pbf.pdf pdf_icon

IRFB4020PBF

PD - 97195DIGITAL AUDIO MOSFETIRFB4020PbFFeaturesKey Parameters Key parameters optimized for Class-D audioVDS200 V amplifier applicationsRDS(ON) typ. @ 10V m80 Low RDSON for improved efficiency Qg typ.18 nCQsw typ.6.7 nC Low QG and QSW for better THD and improvedRG(int) typ. 3.2 efficiencyTJ max175 C Low QRR for better THD and lower EM

 6.1. Size:245K  inchange semiconductor
 irfb4020.pdf pdf_icon

IRFB4020PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4020IIRFB4020FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 100mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION175 operating junction temperature and repetitive avalanchecapabilityABSOLUTE MAXIMUM RATING

 8.1. Size:281K  international rectifier
 irfb4019pbf.pdf pdf_icon

IRFB4020PBF

PD - 97075DIGITAL AUDIO MOSFETIRFB4019PbFFeaturesKey Parameters Key Parameters Optimized for Class-D AudioVDS 150 V Amplifier Applicationsm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Low RDSON for Improved EfficiencyQg typ. 13 nC Low QG and QSW for Better THD and ImprovedQsw typ. 5.1 nC EfficiencyRG(int) typ. 2.4 Low QRR for Better THD and Lower EMITJ max 175 C

 8.2. Size:245K  inchange semiconductor
 irfb4019.pdf pdf_icon

IRFB4020PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4019IIRFB4019FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 95mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION175 operating junction temperature and repetitive avalanchecapabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.