IRFB4110PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFB4110PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IRFB4110PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFB4110PBF даташит

 ..1. Size:341K  international rectifier
 irfb4110pbf.pdf pdf_icon

IRFB4110PBF

IRFB4110PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. l Uninterruptible Power Supply 3.7m l High Speed Power Switching max. 4.5m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 180A S ID (Package Limited) 120A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt D Ruggedness

 6.1. Size:303K  international rectifier
 irfb4110gpbf.pdf pdf_icon

IRFB4110PBF

PD - 96214 IRFB4110GPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply VDSS 100V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 3.7m l Hard Switched and High Frequency Circuits max. 4.5m ID (Silicon Limited) 180A ID (Package Limited) 120A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D D l

 6.2. Size:306K  international rectifier
 irfb4110qpbf.pdf pdf_icon

IRFB4110PBF

PD - 96138 IRFB4110QPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply VDSS 100V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 3.7m l Hard Switched and High Frequency Circuits l Lead-Free max 4.5m ID 180A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt D Ruggedness D l Fully Characterized Capacitance an

 6.3. Size:809K  cn evvo
 irfb4110.pdf pdf_icon

IRFB4110PBF

IRFB4110 100 V N-Channel MOSFET Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA D l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead Free l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB3507PBF, IRFB3607GPBF, IRFB3607PBF, IRFB3806PBF, IRFB38N20DPBF, IRFB4019PBF, IRFB4020PBF, IRFB4110GPBF, IRFB3607, IRFB4115GPBF, IRFB4115PBF, IRFB4127PBF, IRFB4137PBF, IRFB41N15DPBF, IRFB4212PBF, IRFB4215, IRFB4215PBF