IRFB4110PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFB4110PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IRFB4110PBF
IRFB4110PBF Datasheet (PDF)
irfb4110pbf.pdf

IRFB4110PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS 100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.l Uninterruptible Power Supply3.7ml High Speed Power Switching max.4.5ml Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited) 180A S ID (Package Limited)120ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dtDRuggedness
irfb4110gpbf.pdf

PD - 96214IRFB4110GPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply VDSS 100Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.3.7ml Hard Switched and High Frequency Circuits max. 4.5mID (Silicon Limited)180A ID (Package Limited)120ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dtRuggednessD Dl
irfb4110qpbf.pdf

PD - 96138IRFB4110QPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power SupplyVDSS 100Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.3.7ml Hard Switched and High Frequency Circuitsl Lead-Free max4.5mID180ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dtDRuggednessDl Fully Characterized Capacitance an
irfb4110.pdf

IRFB4110100 V N-Channel MOSFETApplicationsl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency CircuitsBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dtRuggednessl Fully Characterized Capacitance and AvalancheSOADl Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capabilityl Lead Freel
Другие MOSFET... IRFB3507PBF , IRFB3607GPBF , IRFB3607PBF , IRFB3806PBF , IRFB38N20DPBF , IRFB4019PBF , IRFB4020PBF , IRFB4110GPBF , AON7506 , IRFB4115GPBF , IRFB4115PBF , IRFB4127PBF , IRFB4137PBF , IRFB41N15DPBF , IRFB4212PBF , IRFB4215 , IRFB4215PBF .
History: IPI60R299CP | SSF7509J7 | KIA2803A-263 | IRFH5006 | NTTFS4937NTAG | NCE2312A | RU30E7H
History: IPI60R299CP | SSF7509J7 | KIA2803A-263 | IRFH5006 | NTTFS4937NTAG | NCE2312A | RU30E7H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640