IRFB4610PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFB4610PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IRFB4610PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFB4610PBF даташит
irfb4610pbf irfs4610pbf irfsl4610pbf.pdf
PD - 95936C IRFB4610PbF IRFS4610PbF IRFSL4610PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching 11m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 14m ID 73A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized
irfb4610 irfs4610 irfsl4610.pdf
PD - 96906B IRFB4610 IRFS4610 IRFSL4610 Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching 11m RDS(on) typ. l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 14m Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt ID 73A S Ruggedness l Fully Characterized Capacita
auirfb4610 auirfs4610.pdf
AUIRFB4610 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS4610 HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 100V Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 11m Enhanced dV/dT and dI/dT capability 175 C Operating Temperature max. 14m Fast Switching ID 73A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive
irfb4610.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRFB4610 IIRFB4610 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 14m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET... IRFB4310ZGPBF , IRFB4310ZPBF , IRFB4321GPBF , IRFB4321PBF , IRFB4332PBF , IRFB4410ZGPBF , IRFB4410ZPBF , IRFB4510PBF , STF13NM60N , IRFB4615PBF , IRFB4620PBF , IRFB4710PBF , IRFB52N15DPBF , IRFB5615PBF , IRFB5620PBF , IRFB59N10DPBF , IRFB61N15DPBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l



