Справочник MOSFET. IRFB9N65APBF

 

IRFB9N65APBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFB9N65APBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.93 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IRFB9N65APBF

 

 

IRFB9N65APBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  international rectifier
 irfb9n65apbf.pdf

IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF

PD - 95416IRFB9N65APbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Switch Mode Power Supply (SMPS)650V 0.93 8.5Al Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andTO-22

 5.1. Size:102K  international rectifier
 irfb9n65a.pdf

IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF

PD - 91815CSMPS MOSFETIRFB9N65AHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply 650V 0.93 8.5A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Curre

 5.2. Size:223K  vishay
 irfb9n65a sihfb9n65a.pdf

IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF

IRFB9N65A, SiHFB9N65AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650Requirement AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.93 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt RoHS*Qg (Max.) (nC) 48COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 19and CurrentConfigu

 5.3. Size:285K  inchange semiconductor
 irfb9n65a.pdf

IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFB9N65AFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.93 (MAX)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top