Справочник MOSFET. 2SJ448

 

2SJ448 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SJ448
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для 2SJ448

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ448 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  nec
 2sj448.pdf pdf_icon

2SJ448

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ448SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SJ448 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de-(in millimeters)signed for high voltage switching applications.10.0 0.3 4.5 0.23.2 0.2FEATURES2.7 0.2 Low On-ResistanceRDS(on) = 2.0 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 2.0 A) L

 9.1. Size:2166K  1
 2sj44.pdf pdf_icon

2SJ448

 9.2. Size:110K  toshiba
 2sj440.pdf pdf_icon

2SJ448

 9.3. Size:116K  nec
 2sj449-1.pdf pdf_icon

2SJ448

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ449SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONThe 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de-PACKAGE DIMENSIONSsigned for high voltage switching applications.(in millimeters)10.0 0.3 4.5 0.2FEATURES3.2 0.22.7 0.2 Low On-ResistanceRDS(on) = 0.8 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 3.0 A) L

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2SJ329 , 2SJ330 , 2SJ331 , 2SJ353 , 2SJ411 , 2SJ424 , 2SJ425 , 2SJ44 , P0903BDG , 2SJ449 , 2SJ45 , 2SJ460 , 2SJ461 , 2SJ462 , 2SJ463 , 2SJ471 , 2SJ479 .

History: HCT70R910 | IRF9530S

 

 
Back to Top

 


 
.