Справочник MOSFET. 2SJ448

 

2SJ448 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SJ448
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для 2SJ448

 

 

2SJ448 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  nec
 2sj448.pdf

2SJ448 2SJ448

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ448SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SJ448 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de-(in millimeters)signed for high voltage switching applications.10.0 0.3 4.5 0.23.2 0.2FEATURES2.7 0.2 Low On-ResistanceRDS(on) = 2.0 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 2.0 A) L

 9.1. Size:2166K  1
 2sj44.pdf

2SJ448 2SJ448

 9.2. Size:110K  toshiba
 2sj440.pdf

2SJ448 2SJ448

 9.3. Size:116K  nec
 2sj449-1.pdf

2SJ448 2SJ448

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ449SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONThe 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de-PACKAGE DIMENSIONSsigned for high voltage switching applications.(in millimeters)10.0 0.3 4.5 0.2FEATURES3.2 0.22.7 0.2 Low On-ResistanceRDS(on) = 0.8 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 3.0 A) L

 9.4. Size:120K  nec
 2sj449.pdf

2SJ448 2SJ448

DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SJ449SWITCHINGP-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONThe 2SJ449 is P-Channel MOS Field Effect Transistor de-PACKAGE DIMENSIONSsigned for high voltage switching applications.(in millimeters)10.0 0.3 4.5 0.2FEATURES3.2 0.22.7 0.2 Low On-ResistanceRDS(on) = 0.8 MAX. (@ VGS = 10 V, ID = 3.0 A) L

 9.5. Size:88K  interfet
 2sk113 2sk152 2sk363 2sj44 ifn113 ifn152 ifn363 ifp44.pdf

2SJ448

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page D-301/99 D-3Japanese Equivalent JFET TypesSilicon Junction Field-Effect Transistors2SK113 2SK152 2SK363 2SJ44JapaneseIFN113 IFN152 IFN363 IFP44InterFETNJ132 NJ132L NJ450 PJ99ProcessN N N P UnitChannel Channel Channel Channel Limit ParametersV 50 20 40 25 BVGSSMin1.0 0.1 1.0 1.0 nAIGSS( 20 V) (10 V) ( 30 V) (

Другие MOSFET... 2SJ329 , 2SJ330 , 2SJ331 , 2SJ353 , 2SJ411 , 2SJ424 , 2SJ425 , 2SJ44 , IRFZ46N , 2SJ449 , 2SJ45 , 2SJ460 , 2SJ461 , 2SJ462 , 2SJ463 , 2SJ471 , 2SJ479 .

 

 
Back to Top