IRLW640A - описание и поиск аналогов

 

IRLW640A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLW640A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRLW640A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLW640A даташит

 ..1. Size:201K  1
irli640a irlw640a.pdfpdf_icon

IRLW640A

 ..2. Size:983K  samsung
irlw640a.pdfpdf_icon

IRLW640A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.18 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 18 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 0.145 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolut

 9.1. Size:204K  1
irli620a irlw620a.pdfpdf_icon

IRLW640A

 9.2. Size:234K  fairchild semi
irlw610a irli610a.pdfpdf_icon

IRLW640A

IRLW/I610A FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK 150 C Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Lower RDS(ON) 1.185 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain

Другие MOSFET... IRLU3410 , IRLW510A , IRLW520A , IRLW530A , IRLW540A , IRLW610A , IRLW620A , IRLW630A , IRF1404 , IRLWZ14A , IRLWZ24A , IRLWZ34A , IRLWZ44A , IRLZ10 , IRLZ14 , IRLZ14A , IRLZ20 .

History: SFW082N165C3 | 2SK2733 | NTB45N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.