AM1400NE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM1400NE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: SC-70

Аналог (замена) для AM1400NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM1400NE даташит

 ..1. Size:284K  analog power
 am1400ne.pdf pdf_icon

AM1400NE

Analog Power AM1400NE N-Channel 150-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 1100 @ VGS = 10V 1 Low thermal impedance 150 1200 @ VGS = 4.5V 0.9 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXI

Другие IGBT... AM1320N, AM1321P, AM1323P, AM1330N, AM1331P, AM1340N, AM1360NE, AM1370N, AO3400, AM1420N, AM1421P, AM1430N, AM1431P, AM1432NE, AM1433PE, AM1434N, AM1440N