AM1936NE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AM1936NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SC-70
Аналог (замена) для AM1936NE
AM1936NE Datasheet (PDF)
am1936ne.pdf

Analog Power AM1936NEN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)90 @ VGS = 10V1.5 Low thermal impedance 30130 @ VGS = 4.5V1.3 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET... AM1535CE , AM1537CE , AM1541CE , AM1561CE , AM1580CE , AM1590CE , AM1922NE , AM1925PE , 2N7000 , AM1960NE , AM1963PE , AM20N06-90D , AM20N06-90I , AM20N10-115D , AM20N10-130D , AM20N10-180D , AM20N10-250D .
History: GKI10194 | NTMFS5C645NLT3G | HGE055NE4A | GKI06259 | H05N50E | MDF10N60BTH | HM2N10
History: GKI10194 | NTMFS5C645NLT3G | HGE055NE4A | GKI06259 | H05N50E | MDF10N60BTH | HM2N10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent