AM20N10-180D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM20N10-180D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AM20N10-180D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM20N10-180D даташит

 ..1. Size:291K  analog power
 am20n10-180d.pdf pdf_icon

AM20N10-180D

Analog Power AM20N10-180D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 180 @ VGS = 10V 14 Low thermal impedance 100 190 @ VGS = 4.5V 13 Fast switching speed Typical Applications LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 2

 5.1. Size:287K  analog power
 am20n10-115d.pdf pdf_icon

AM20N10-180D

Analog Power AM20N10-115D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 115 @ VGS = 10V 17 Low thermal impedance 100 135 @ VGS = 4.5V 16 Fast switching speed Typical Applications LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 2

 5.2. Size:73K  analog power
 am20n10-130d.pdf pdf_icon

AM20N10-180D

Analog Power AM20N10-130D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 130 @ VGS = 10V 17 converters and power management in portable and 100 160 @ VGS = 4.5V 15

 5.3. Size:850K  cn vbsemi
 am20n10-130d.pdf pdf_icon

AM20N10-180D

AM20N10-130D www.VBsemi.tw N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature 100 0.11 4 at VGS = 10 V 15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM1925PE, AM1936NE, AM1960NE, AM1963PE, AM20N06-90D, AM20N06-90I, AM20N10-115D, AM20N10-130D, SKD502T, AM20N10-250D, AM20N10-250DE, AM20N10-350D, AM20N15-250B, AM20N15-250D, AM20N20-125D, AM20P02-60D, AM20P02-99D