IRLWZ44A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLWZ44A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 42 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 555 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO263
IRLWZ44A Datasheet (PDF)
irlwz44a.pdf
IRLW/IZ44AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.025 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.02 (Typ.)112331. Gate 2. Drain
irlwz24a.pdf
IRLW/IZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.075 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.061 (Typ.)112331. Gate 2. Dra
irlwz14a.pdf
IRLW/IZ14AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.155 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)112331. Gate 2. Dra
irlwz34a.pdf
IRLW/IZ34AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 16 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.046 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.033 (Typ.)112331. Gate 2. Drain
Другие MOSFET... IRLW540A , IRLW610A , IRLW620A , IRLW630A , IRLW640A , IRLWZ14A , IRLWZ24A , IRLWZ34A , IRF3710 , IRLZ10 , IRLZ14 , IRLZ14A , IRLZ20 , IRLZ24 , IRLZ24A , IRLZ24N , IRLZ24NL .
History: NDB410A