Справочник MOSFET. IRLWZ44A

 

IRLWZ44A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLWZ44A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRLWZ44A

 

 

IRLWZ44A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  samsung
 irlwz44a.pdf

IRLWZ44A IRLWZ44A

IRLW/IZ44AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.025 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.02 (Typ.)112331. Gate 2. Drain

 9.1. Size:217K  samsung
 irlwz24a.pdf

IRLWZ44A IRLWZ44A

IRLW/IZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.075 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.061 (Typ.)112331. Gate 2. Dra

 9.2. Size:214K  samsung
 irlwz14a.pdf

IRLWZ44A IRLWZ44A

IRLW/IZ14AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.155 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.122 (Typ.)112331. Gate 2. Dra

 9.3. Size:220K  samsung
 irlwz34a.pdf

IRLWZ44A IRLWZ44A

IRLW/IZ34AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 16 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.046 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 30 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.033 (Typ.)112331. Gate 2. Drain

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top