Справочник MOSFET. AM2332N

 

AM2332N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM2332N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AM2332N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2332N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  analog power
am2332n.pdfpdf_icon

AM2332N

Analog Power AM2332NN-Channel 20V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.058 @ VGS = 4.5 V 4.7battery-powered products suc

 9.1. Size:294K  analog power
am2339p.pdfpdf_icon

AM2332N

Analog Power AM2339PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)57 @ VGS = -4.5V -3.9 Low thermal impedance -3089 @ VGS = -2.5V -3.2 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

 9.2. Size:295K  analog power
am2334ne.pdfpdf_icon

AM2332N

Analog Power AM2334NEN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)60 @ VGS = 4.5V3.5 Low thermal impedance 3082 @ VGS = 2.5V3.0 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.3. Size:168K  analog power
am2334n.pdfpdf_icon

AM2332N

Analog Power AM2334NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m()ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 60 @ VGS = 4.5V 3.5converters and power management in portable and 30battery-powered products s

Другие MOSFET... AM2325P , AM2326N , AM2327P , AM2328N , AM2328NE , AM2329P , AM2330N , AM2330NE , IRF840 , AM2334N , AM2334NE , AM2336N , AM2337P , AM2339P , AM2340N , AM2340NE , AM2341P .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.