AM2339P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM2339P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для AM2339P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2339P даташит

 ..1. Size:294K  analog power
am2339p.pdfpdf_icon

AM2339P

Analog Power AM2339P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 57 @ VGS = -4.5V -3.9 Low thermal impedance -30 89 @ VGS = -2.5V -3.2 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIM

 0.1. Size:1480K  cn vbsemi
am2339p-t1.pdfpdf_icon

AM2339P

AM2339P-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

 9.1. Size:295K  analog power
am2334ne.pdfpdf_icon

AM2339P

Analog Power AM2334NE N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 60 @ VGS = 4.5V 3.5 Low thermal impedance 30 82 @ VGS = 2.5V 3.0 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.2. Size:168K  analog power
am2334n.pdfpdf_icon

AM2339P

Analog Power AM2334N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( )ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 60 @ VGS = 4.5V 3.5 converters and power management in portable and 30 battery-powered products s

Другие IGBT... AM2329P, AM2330N, AM2330NE, AM2332N, AM2334N, AM2334NE, AM2336N, AM2337P, IRFP460, AM2340N, AM2340NE, AM2341P, AM2342, AM2342N, AM2342NE, AM2343P, AM2343PE