AM2359PE - аналоги и даташиты транзистора

 

AM2359PE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AM2359PE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для AM2359PE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2359PE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  analog power
 am2359pe.pdf pdf_icon

AM2359PE

Analog Power AM2359PEP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)700 @ VGS = -10V -1.2 Low thermal impedance -60800 @ VGS = -4.5V -1.1 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MA

 7.1. Size:289K  analog power
 am2359p.pdf pdf_icon

AM2359PE

Analog Power AM2359PP-Channel -60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)381 @ VGS = -10V -1.6 Low thermal impedance -60561 @ VGS = -4.5V -1.3 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAX

 9.1. Size:288K  analog power
 am2358n.pdf pdf_icon

AM2359PE

Analog Power AM2358NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V3.1 Low thermal impedance 60107 @ VGS = 4.5V2.9 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM

 9.2. Size:165K  analog power
 am2358ne.pdf pdf_icon

AM2359PE

Analog Power AM2358NEN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low PRODUCT SUMMARYrDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) ()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and 0.092 @ VGS = 10 V 3.1battery-powered products suc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM2343PE , AM2344N , AM2345P , AM2345PE , AM2347P , AM2358N , AM2358NE , AM2359P , 2SK3878 , AM2360N , AM2361P , AM2362N , AM2370N , AM2371P , AM2372N , AM2373P , AM2374N .

 

 
Back to Top

 


 
.