Справочник MOSFET. AM2391P

 

AM2391P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AM2391P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AM2391P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  analog power
am2391p.pdfpdf_icon

AM2391P

Analog Power AM2391PP-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)1.2 @ VGS = -10V -0.9 Low thermal impedance -1501.3 @ VGS = -4.5V -0.8 Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost c

 9.1. Size:278K  analog power
am2392n.pdfpdf_icon

AM2391P

Analog Power AM2392NN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) ()VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)1.2 @ VGS = 10V0.9 Low thermal impedance 1501.4 @ VGS = 5.5V0.8 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMU

 9.2. Size:133K  analog power
am2398n.pdfpdf_icon

AM2391P

Analog Power AM2398NN-Channel 60V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETsutilize High Cell Density process. Low rDS(on)PRODUCT SUMMARYassures minimal power loss and conserves VDS (V) rDS(on) ()ID (A)energy, making this device ideal for use in 0.194 @ VGS = 10 V 2.2power management circuitry. Typical 60applications are power switch, power 0.273 @ VGS = 4.5V 1

 9.3. Size:289K  analog power
am2394ne.pdfpdf_icon

AM2391P

Analog Power AM2394NEN-Channel 150-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)1200 @ VGS = 10V0.9 Low thermal impedance 1501300 @ VGS = 4.5V0.8 Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MA

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.