IRFD310PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFD310PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
Тип корпуса: DIP-4
Аналог (замена) для IRFD310PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFD310PBF даташит
irfd310pbf.pdf
PD- 95932 IRFD310PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91133 www.vishay.com 1 IRFD310PbF Document Number 91133 www.vishay.com 2 IRFD310PbF Document Number 91133 www.vishay.com 3 IRFD310PbF Document Number 91133 www.vishay.com 4 IRFD310PbF Document Number 91133 www.vishay.com 5 IRFD310PbF Document Number 91133 www.vishay.com 6 IRFD310PbF Document Number 91
irfd310pbf sihfd310.pdf
IRFD310, SiHFD310 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.6 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 17 End Stackable Qgs (nC) 3.4 Fast Switching Qgd (nC) 8.5 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirement
irfd310.pdf
PD -9.1225 IRFD310 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 400V For Automatic Insertion End Stackable RDS(on) = 3.6 Fast Switching Ease of paralleling Simple Drive Requirements ID = 0.35A Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi
irfd310 sihfd310.pdf
IRFD310, SiHFD310 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 3.6 RoHS* For Automatic Insertion COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 17 End Stackable Qgs (nC) 3.4 Fast Switching Qgd (nC) 8.5 Ease of Paralleling Configuration Single Simple Drive Requirement
Другие IGBT... IRFD110PBF, IRFD113PBF, IRFD120PBF, IRFD123PBF, IRFD210PBF, IRFD214PBF, IRFD220PBF, IRFD224PBF, 2N60, IRFD320PBF, IRFD420PBF, IRFD9010, IRFD9012, IRFD9010PBF, IRFD9014PBF, IRFD9020PBF, IRFD9024PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor








