IRFD9012 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFD9012
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.91 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: DIP-4
IRFD9012 Datasheet (PDF)
irfd9014pbf.pdf
PD- 95925IRFD9014PbF Lead-Free10/27/04Document Number: 91136 www.vishay.com1IRFD9014PbFDocument Number: 91136 www.vishay.com2IRFD9014PbFDocument Number: 91136 www.vishay.com3IRFD9014PbFDocument Number: 91136 www.vishay.com4IRFD9014PbFDocument Number: 91136 www.vishay.com5IRFD9014PbFDocument Number: 91136 www.vishay.com6IRFD9014PbFPeak Diode R
irfd9014pbf sihfd9014.pdf
IRFD9014, SiHFD9014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 12COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.8 P-ChannelQgd (nC) 5.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin
irfd9010pbf sihfd9010.pdf
IRFD9010, SiHFD9010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast SwitchingRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Low Drive CurrentQg (Max.) (nC) 11 Easy ParalleledQgs (nC) 3.8 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E
sihfd9010 irfd9010.pdf
IRFD9010, SiHFD9010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY For Automatic InsertionVDS (V) - 50 Compact, End Stackable Fast SwitchingRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Low Drive CurrentQg (Max.) (nC) 11 Easy ParalleledQgs (nC) 3.8 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.1 P-Channel Versatility Compliant to RoHS Directive 2002/95/E
irfd9014 sihfd9014.pdf
IRFD9014, SiHFD9014Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) - 60 Repetitive Avalanche RatedAvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 For Automatic InsertionRoHS*Qg (Max.) (nC) 12COMPLIANT End StackableQgs (nC) 3.8 P-ChannelQgd (nC) 5.1 175 C Operating TemperatureConfiguration Single Fast Switchin
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918