IRFD9012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFD9012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.91 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: DIP-4

Аналог (замена) для IRFD9012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFD9012 даташит

 7.1. Size:448K  international rectifier
 irfd9010.pdf pdf_icon

IRFD9012

 7.2. Size:1819K  international rectifier
 irfd9014pbf.pdf pdf_icon

IRFD9012

PD- 95925 IRFD9014PbF Lead-Free 10/27/04 Document Number 91136 www.vishay.com 1 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 2 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 3 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 4 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 5 IRFD9014PbF Document Number 91136 www.vishay.com 6 IRFD9014PbF Peak Diode R

 7.3. Size:177K  international rectifier
 irfd9014.pdf pdf_icon

IRFD9012

 7.4. Size:1751K  vishay
 irfd9014pbf sihfd9014.pdf pdf_icon

IRFD9012

IRFD9014, SiHFD9014 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 60 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 For Automatic Insertion RoHS* Qg (Max.) (nC) 12 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 3.8 P-Channel Qgd (nC) 5.1 175 C Operating Temperature Configuration Single Fast Switchin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFD210PBF, IRFD214PBF, IRFD220PBF, IRFD224PBF, IRFD310PBF, IRFD320PBF, IRFD420PBF, IRFD9010, AO3400A, IRFD9010PBF, IRFD9014PBF, IRFD9020PBF, IRFD9024PBF, IRFD9110PBF, IRFD9113, IRFD9120PBF, IRFD9210PBF