IRFD9210PBF - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IRFD9210PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFD9210PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: DIP-4

Аналог (замена) для IRFD9210PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRFD9210PBF даташит

..1. Size:1772K international rectifier
irfd9210pbf.pdf pdf_icon

PD- 95934 IRFD9210PbF Lead-Free 10/28/04 Document Number 91140 www.vishay.com 1 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 2 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 3 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 4 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 5 IRFD9210PbF Document Number 91140 www.vishay.com 6 IRFD9210PbF Peak Diode R

..2. Size:1553K vishay
irfd9210pbf sihfd9210.pdf pdf_icon

IRFD9210, SiHFD9210 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) - 200 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = - 10 V 3.0 RoHS* For Automatic Insertion Qg (Max.) (nC) 8.9 COMPLIANT End Stackable Qgs (nC) 2.1 P-Channel Qgd (nC) 3.9 Fast Switching Configuration Single Ease of Paralleling S

6.1. Size:171K international rectifier
irfd9210.pdf pdf_icon