IRFF640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFF640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для IRFF640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFF640 даташит

 ..1. Size:117K  jiangsu
 irff640.pdf pdf_icon

IRFF640

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS IRFF640 N-Channel Power MOSFET TO-220F DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high 1. GATE energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. 2. DRAIN Designed for high volta

Другие IGBT... IRFD9220PBF, IRFDC20PBF, IRFEA240, IRFF034, IRFF212, IRFF213, IRFF30B, IRFF30C, AO4407A, IRFG110, IRFG5110, IRFG5210, IRFG6110, IRFG9110, IRFH3702PBF, IRFH3707PBF, IRFH3707PBF-1