Справочник MOSFET. IRFF640

 

IRFF640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для IRFF640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  jiangsu
 irff640.pdf pdf_icon

IRFF640

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS IRFF640 N-Channel Power MOSFET TO-220F DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high 1. GATE energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. 2. DRAIN Designed for high volta

Другие MOSFET... IRFD9220PBF , IRFDC20PBF , IRFEA240 , IRFF034 , IRFF212 , IRFF213 , IRFF30B , IRFF30C , AO3407 , IRFG110 , IRFG5110 , IRFG5210 , IRFG6110 , IRFG9110 , IRFH3702PBF , IRFH3707PBF , IRFH3707PBF-1 .

History: BSZ0501NSI | JMSH0805PK

 

 
Back to Top

 


 
.