IRFH4253D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH4253D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH4253D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH4253D даташит

 ..1. Size:588K  international rectifier
 irfh4253dpbf.pdf pdf_icon

IRFH4253D

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 ..2. Size:588K  international rectifier
 irfh4253d.pdf pdf_icon

IRFH4253D

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 7.1. Size:561K  international rectifier
 irfh4251d.pdf pdf_icon

IRFH4253D

FastIRFET IRFH4251DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.10 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 44 nC ID 45 45 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 7.2. Size:852K  international rectifier
 irfh4257d.pdf pdf_icon

IRFH4253D

FastIRFET IRFH4257DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.70 1.80 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 9.7 23 nC ID 25 25 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters Dual PQFN 5X4 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFH4209D, IRFH4210, IRFH4210D, IRFH4213, IRFH4213D, IRFH4226, IRFH4234, IRFH4251D, IRFB4110, IRFH4255D, IRFH4257D, IRFH5007PBF, IRFH5010PBF, IRFH5015PBF, IRFH5020PBF, IRFH5053PBF, IRFH5106PBF