Справочник MOSFET. IRFH4253D

 

IRFH4253D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFH4253D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH4253D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:588K  international rectifier
 irfh4253dpbf.pdf pdf_icon

IRFH4253D

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 ..2. Size:588K  international rectifier
 irfh4253d.pdf pdf_icon

IRFH4253D

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 7.1. Size:561K  international rectifier
 irfh4251d.pdf pdf_icon

IRFH4253D

FastIRFET IRFH4251DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.10 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 44 nC ID 45 45 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 7.2. Size:852K  international rectifier
 irfh4257d.pdf pdf_icon

IRFH4253D

FastIRFET IRFH4257DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.70 1.80 m(@VGS = 4.5V) Qg (typical) 9.7 23 nC ID 25 25 A(@TC = 25C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters Dual PQFN 5X4 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: R6024ENJ | SST215 | IRFD014PBF | 2SK1496-Z | MTP4403SQ8 | STN4526 | PDC3960X

 

 
Back to Top

 


 
.