IRFH4257D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH4257D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X4

Аналог (замена) для IRFH4257D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH4257D даташит

 ..1. Size:852K  international rectifier
 irfh4257d.pdf pdf_icon

IRFH4257D

FastIRFET IRFH4257DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.70 1.80 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 9.7 23 nC ID 25 25 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters Dual PQFN 5X4 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low c

 7.1. Size:588K  international rectifier
 irfh4253dpbf.pdf pdf_icon

IRFH4257D

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 7.2. Size:588K  international rectifier
 irfh4253d.pdf pdf_icon

IRFH4257D

FastIRFET IRFH4253DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.45 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 31 nC ID 35 35 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

 7.3. Size:561K  international rectifier
 irfh4251d.pdf pdf_icon

IRFH4257D

FastIRFET IRFH4251DPbF HEXFET Power MOSFET Q1 Q2 VDSS 25 25 V RDS(on) max 4.60 1.10 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 10 44 nC ID 45 45 A (@TC = 25 C) Applications Control and Synchronous MOSFETs for synchronous buck converters DUAL PQFN 5X6 mm Features Benefits Control and synchronous MOSFETs in one package Increased power density Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFH4210D, IRFH4213, IRFH4213D, IRFH4226, IRFH4234, IRFH4251D, IRFH4253D, IRFH4255D, IRFP260N, IRFH5007PBF, IRFH5010PBF, IRFH5015PBF, IRFH5020PBF, IRFH5053PBF, IRFH5106PBF, IRFH5206PBF, IRFH5207PBF