IRFH5020PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFH5020PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH5020PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFH5020PBF даташит

 ..1. Size:341K  international rectifier
 irfh5020pbf.pdf pdf_icon

IRFH5020PBF

PD -97428 IRFH5020PbF HEXFET Power MOSFET VDS 200 V RDS(on) max 55 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC RG (typical) 1.9 ID 43 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon Lower Conduction Losses

 6.1. Size:260K  1
 irfh5020trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5020PBF

IRFH5020PbF HEXFET Power MOSFET VDS 200 V RDS(on) max 55 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 36 nC RG (typical) 1.9 ID 34 A (@Tc(Bottom) = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon Lower Conduction Losses Low The

 7.1. Size:272K  international rectifier
 irfh5025pbf.pdf pdf_icon

IRFH5020PBF

IRFH5025PbF HEXFET Power MOSFET VDS 250 V RDS(on) max 100 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 37 nC RG (typical) 1.6 ID 25 A PQFN 5X6 mm (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon Lower Conduction Losses Low Th

 8.1. Size:263K  1
 irfh5006trpbf.pdf pdf_icon

IRFH5020PBF

IRFH5006PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 4.1 m (@VGS = 10V) Qg (typical) 69 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Benefits Features Low RDSon ( 4.1m ) Lower Conduction Losses

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFH4234, IRFH4251D, IRFH4253D, IRFH4255D, IRFH4257D, IRFH5007PBF, IRFH5010PBF, IRFH5015PBF, 10N60, IRFH5053PBF, IRFH5106PBF, IRFH5206PBF, IRFH5207PBF, IRFH5210PBF, IRFH5250PBF, IRFH5255PBF, IRFH5300PBF