IRFH6200PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFH6200PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 49 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 74 ns
Выходная емкость (Cd): 2890 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.00099 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
Аналог (замена) для IRFH6200PBF
IRFH6200PBF Datasheet (PDF)
irfh6200pbf.pdf
IRFH6200TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 20 VRDS(on) max 0.99 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 155 nCRG (typical) 1.3 ID 100 A PQFN 5X6 mm(@Tmb = 25C)ApplicationsCharge and discharge switch for battery applicationLoad switch for 12V (typical) busFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon ( 0.99m Lower Conduction LossesLow Thermal
irfh6200trpbf.pdf
IRFH6200TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 20 VRDS(on) max 0.99m(@VGS = 4.5V)(@VGS = 2.5V) 1.50Qg (typical) 155 nCRG (typical) 1.3 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap SwitchFeatures BenefitsLow RDSon ( 0.99m) Lower Conduction LossesLow The
irfh6200trpbf.pdf
IRFH6200TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 20 VRDS(on) max 0.99m(@VGS = 4.5V)(@VGS = 2.5V) 1.50Qg (typical) 155 nCRG (typical) 1.3 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Charge and discharge switch for battery application Load switch for 12V (typical) bus Hot-Swap SwitchFeatures BenefitsLow RDSon ( 0.99m) Lower Conduction LossesLow The
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
