IRLZ44N datasheet, аналоги, параметры транзистора

IRLZ44N datasheet, аналоги, основные параметры

IRLZ44N - это N-канальный полевой транзистор, который стал практически стандартом для любительской и профессиональной электроники благодаря возможности прямого управления от низковольтных цифровых выходов.

Основные характеристики:

Управление: Логический уровень затвора. Пороговое напряжение составляет всего 1-2 вольта, поэтому его можно полностью открыть сигналом 3.3В или 5В с платформ Arduino, Raspberry Pi и других МК.
Ток: Способен пропускать очень большой непрерывный ток — до 47 ампер.
Сопротивление: Низкое сопротивление в открытом состоянии, около 0.022 Ома, что обеспечивает высокий КПД.
Скорость: Высокая скорость переключения.

Типичное применение:

Драйверы двигателей постоянного тока и сервоприводов в робототехнике.
Управление мощными светодиодными лентами и массивами.
Импульсные стабилизаторы и регуляторы мощности.
Любые схемы, где нужно включить/выключить мощную нагрузку по сигналу с цифровой платы.

Главные преимущества:

Максимальная простота интеграции: Не требует промежуточных драйверов, что упрощает и удешевляет схему.
Высокая эффективность: Малое сопротивление и быстрая работа минимизируют потери мощности.
Проверенная надежность и широкая доступность.

Критически важное условие для работы:

Теплоотвод обязателен: При работе с токами, близкими к максимальным (или даже в 10-20А), транзистор будет сильно нагреваться. Качественный радиатор необходим для предотвращения перегрева и теплового пробоя.
Хотя управление напрямую от МК возможно, для коммутации индуктивных нагрузок (моторы, реле) рекомендуется предусматривать защитные элементы (диоды, снабберы).

Наименование производителя: IRLZ44N 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO220

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для IRLZ44N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

IRLZ44N даташит

..1. Size:102K international rectifier
irlz44n.pdf pdf_icon

PD - 9.1346B IRLZ44N HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.022 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 47A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistan

..2. Size:223K international rectifier
irlz44npbf.pdf pdf_icon

PD - 94831 IRLZ44NPbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive D l Advanced Process Technology VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.022 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated l Lead-Free ID = 47A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest

..3. Size:245K inchange semiconductor
irlz44n.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRLZ44N IIRLZ44N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 22m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM R

0.1. Size:340K international rectifier
irlz44ns irlz44nl.pdf pdf_icon

IRLZ44NS/LPbF l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D l Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL) l 175 C Operating Temperature DS(on) l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated D l Lead-Free S Description