AM30N10-70DE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AM30N10-70DE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.6 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AM30N10-70DE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AM30N10-70DE даташит

 ..1. Size:143K  analog power
 am30n10-70de.pdf pdf_icon

AM30N10-70DE

Analog Power AM30N10-70DE N-Channel 100-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m ) ID (A) ( rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 78 @ VGS = 10V 21 converters and power management in portable and 100 92 @ VGS = 4.5V 20

 3.1. Size:296K  analog power
 am30n10-70d.pdf pdf_icon

AM30N10-70DE

Analog Power AM30N10-70D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 78 @ VGS = 10V 26 Low thermal impedance 100 92 @ VGS = 4.5V 25 Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost co

 5.1. Size:86K  analog power
 am30n10-78d.pdf pdf_icon

AM30N10-70DE

Analog Power AM30N10-78D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 78 @ VGS = 10V 21 converters and power management in portable and 100 98 @ VGS = 4.5V 19 bat

 6.1. Size:65K  analog power
 am30n10-50d.pdf pdf_icon

AM30N10-70DE

Analog Power AM30N10-50D N-Channel 100-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 50 @ VGS = 10V 26 converters and power management in portable and 100 59 @ VGS = 4.5V 24 bat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AM30N03-40D, AM30N03-59D, AM30N06-39D, AM30N06-39IE, AM30N06-65DA, AM30N08-80D, AM30N10-50D, AM30N10-70D, RFP50N06, AM30N10-78D, AM30N15-60D, AM30N20-400PCFM, AM30N20-78D, AM30N25-270P, AM30P06-40D, AM30P06-45D, AM30P10-80D