ITF86116SQT. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ITF86116SQT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для ITF86116SQT
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ITF86116SQT даташит
itf86116sqt.pdf
ITF86116SQT Data Sheet March 2000 File Number 4808.2 10A, 30V, 0.012 Ohm, N-Channel, Logic Features Level, Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012 , VGS = 10V Packaging - rDS(ON) = 0.016 , VGS = 4.5V TSSOP8 Gate to Source Protection Diode Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER 5 Electrical Models 1 - Spice and SABER Thermal Im
itf86110dk8t.pdf
ITF86110DK8T Data Sheet January 2000 File Number 4807.2 7.5A, 30V, 0.025 Ohm, Dual N-Channel, Features Logic Level, Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.025 , VGS = 10V Packaging [ /Title - rDS(ON) = 0.034 , VGS = 4.5V SO8 (JEDEC MS-012AA) (HUF7 - rDS(ON) = 0.042 , VGS = 4.0V 6400S Gate to Source Protection Diode BRANDING DASH K8) Simulation Model
itf86182sk8t.pdf
ITF86182SK8T Data Sheet January 2000 File Number 4797.2 11A, 30V, 0.0115 Ohm, P-Channel, Logic Features Level, Power MOSFET Ultra Low On-Resistance [ /Title - rDS(ON) = 0.0115 , VGS = -10V Packaging (ITF86 - rDS(ON) = 0.016 , VGS = -4.5V SO8 (JEDEC MS-012AA) 182SK - rDS(ON) = 0.0175 , VGS = -4V 8T) BRANDING DASH Gate to Source Protection Diode /Sub- Simulation M
itf86130sk8t.pdf
ITF86130SK8T TM Data Sheet June 2000 File Number 4798.4 14A, 30V, 0.0078 Ohm, N-Channel, Logic Features Level, Power MOSFET Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.0078 , VGS = 10V Packaging - rDS(ON) = 0.010 , VGS = 4.5V SO8 (JEDEC MS-012AA) - rDS(ON) = 0.012 , VGS = 4.0V BRANDING DASH Gate to Source Protection Diode Simulation Models - Temperature Compensated PSP
Другие MOSFET... IRLZ34NS , IRLZ40 , IRLZ44 , IRLZ44A , IRLZ44N , IRLZ44NL , IRLZ44NS , ITF86110DK8T , IRFP260 , ITF86130SK8T , ITF86172SK8T , ITF86174SQT , ITF86182SK8T , ITF87008DQT , ITF87012SVT , ITF87052SVT , ITF87056DQT .
History: ITF86110DK8T | WM02DN50M3 | WM02DN08T | VN0300 | WM02DN560Q | BLM3407
History: ITF86110DK8T | WM02DN50M3 | WM02DN08T | VN0300 | WM02DN560Q | BLM3407
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet






